ZMD公司的nvSRAM有兩種操作模式，SRAM模式與非易失性模式，
2013-04-07
ZMD公司的nvSRAM有兩種操作模式，SRAM模式與非易失性模式，
在SRAM模式中，存儲器可以像普通的靜態RAM一樣操作，SRAM可以讀寫無限次，且讀寫訪問時間小于25ns，所有的nvSRAM都是以字節方式組織的。
在非易失性模式中，數據從SRAM中保存進EEPROM中（STORE操作），或者從EEPROM回讀至SRAM中（RECALL操作）。STORE和RECALL可能會按下面的方式開始：
1、在系統上電或者下電時，自動開始STORE或者RECALL操作。萬用表
2、通過軟件序列或者硬件信號，由用戶控制開始STORE或者RECALL操作。
一旦STORE和RECALL周期開始后，SRAM的進一步輸入輸出便被禁止，直至周期結束，片上的STORE和RECALL控制單元控制數據在SRAM與EEPROM之間轉移
在任何時間，幾毫秒之內SRAM中的數據就可以被存儲于EEPROM中，數據可以寫進EEPROM中至少10萬次，從EEPROM中讀出數據至SRAM中的次數是沒有限制的，nvSRAM保證數據從上一次保存周期結束后可以至少保存45年以上，它保證在芯片調換時或者未來電壓突然中斷時，數據不會丟失。
目前ZMD公司的nvSRAM根據數據保存方式不同有四種類型，分別是HardStore，SoftStore，PowerStore，CapStore，每種不同的存儲方式對應著不同的產品型號，以下對這幾種方式做一個詳細的說明與解釋。
HardStore nvSRAM
控制管腳上的信號控制nvSRAM中的數據從SRAM保存進EEPROM上（STORE），或者從EEPROM回讀至SRAM中（RECALL）。
SoftStore nvSRAM
一個預定義的六個連續的SRAM讀操作控制nvSRAM中的數據從SRAM保存至EEPROM中（STORE），或者從EEPROM回讀至SRAM中（RECALL）。
PowerStore nvSRAM
數據從SRAM保存至EEPROM中，是在內部的電壓傳感器控制下自動執行的，當傳感器檢測到操作電壓跌落低于一個最小值的時候，會自動啟動保存操作，保存數據的能量是由外部的一個聯接至電容能量管腳的電容提供，或者由系統固有容性提供能量。
CapStore nvSRAM
數據從SRAM轉移至EEPROM中是在電壓檢測器的控制下自動執行的，當電壓檢測器檢測到操作電壓跌落低于一個最小值時，自動啟動保存操作，保存數據的能量由一個內部的電容提供。
所有類型的nvSRAM在系統上電時自動執行回讀操作（RECALL）。
PowerStore和CapStore可以提供硬件或者軟件的保存（STORE）或者回讀（RECALL）操作，除了在系統下電或者掉電時轉移數據是自動執行的。
nvSRAM的典型應用包括工業控制和汽車電子，同時也包括醫療及測量系統。在極端環境下，如果數據的可靠性存儲需要得到保證，那么nvSRAM將是一種完美的解決方案。
在各種數字設備中，nvSRAM可以用于保存各種緊急數據。在小型化的應用中，可以將數據存儲器與程序存儲器集中在一片nvSRAM中，以此來減少電路板上IC的數目，提高了系統的靈活性及性能。具有快速訪問特性的nvSRAM是測量及醫療應用中的理想的數據存儲方案，測量的數據可以保存在SRAM中，然后在系統正常下電或者系統突然掉電時，將數據轉移進EEPROM中。
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